型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1250V 40A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail135610-99¥8.7360100-499¥8.2992500-999¥8.00801000-1999¥7.99342000-4999¥7.93525000-7499¥7.86247500-9999¥7.8042≥10000¥7.7750
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD182420-49¥0.000050-99¥0.0000100-299¥0.0000300-499¥0.0000500-999¥0.00001000-4999¥0.00005000-9999¥0.0000≥10000¥0.0000
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 300V 400A TO3P80991-9¥57.022810-99¥53.7510100-249¥51.3205250-499¥50.9466500-999¥50.57271000-2499¥50.15202500-4999¥49.7781≥5000¥49.5444
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P79001-9¥46.628410-99¥43.9530100-249¥41.9656250-499¥41.6598500-999¥41.35401000-2499¥41.01012500-4999¥40.7043≥5000¥40.5132
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P84021-9¥47.933810-99¥45.1835100-249¥43.1404250-499¥42.8261500-999¥42.51181000-2499¥42.15822500-4999¥41.8439≥5000¥41.6474
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-3P79465-49¥27.144050-199¥25.9840200-499¥25.3344500-999¥25.17201000-2499¥25.00962500-4999¥24.82405000-7499¥24.7080≥7500¥24.5920
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,On Semiconductor ### IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。64865-49¥17.655350-199¥16.9008200-499¥16.4783500-999¥16.37271000-2499¥16.26702500-4999¥16.14635000-7499¥16.0709≥7500¥15.9954
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 235800mW 3Pin(3+Tab) TO-3P28591-9¥39.198610-99¥36.9495100-249¥35.2787250-499¥35.0217500-999¥34.76471000-2499¥34.47552500-4999¥34.2185≥5000¥34.0578
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P44461-9¥75.037510-99¥71.7750100-249¥71.1878250-499¥70.7310500-999¥70.01331000-2499¥69.68702500-4999¥69.2303≥5000¥68.8388
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40951-9¥248.699010-49¥242.211250-99¥237.2372100-199¥235.5071200-499¥234.2096500-999¥232.47951000-1999¥231.3982≥2000¥230.3169
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51495-49¥21.726950-199¥20.7984200-499¥20.2784500-999¥20.14851000-2499¥20.01852500-4999¥19.86995000-7499¥19.7771≥7500¥19.6842